描述:霍爾效應的測量是研究半導體的重要實(shí)驗方法。利用霍爾系數和電導率的聯(lián)合測量,霍爾效應測試儀可以用來(lái)確定半導體的導電類(lèi)型和載流子濃度。通過(guò)測量霍爾系數與電導率溫度的變化,可以確定半導體的禁帶寬度、雜質(zhì)電離能及遷移率的溫度系數等基本參數。
霍爾效應測試儀產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
霍爾效應的測量是研究半導體的重要實(shí)驗方法。利用霍爾系數和電導率的聯(lián)合測量,變溫霍爾實(shí)驗儀可以用來(lái)確定半導體的導電類(lèi)型和載流子濃度。通過(guò)測量霍爾系數與電導率溫度的變化,可以確定半導體的禁帶寬度、雜質(zhì)電離能及遷移率的溫度系數等基本參數。
霍爾效應測試儀采用現代電子技術(shù)和計算機數據采集系統,對霍爾樣品鉆弱場(chǎng)條件下進(jìn)行變溫霍爾系數和電導率的測量,來(lái)確定半導體材料的各種性質(zhì)。
霍爾效應測試儀技術(shù)參數:
電 磁 鐵:0-300mT可調
勵磁電源:0-5A可調,可自動(dòng)換向
穩 定 性:<±0.1%
數字特斯拉計:0-2000mT三位半數字顯示
恒流源輸出:1mA
穩 定 性:±0.1%
數據采集系統霍爾電壓測量分辨率:1uV
溫度變化測量范圍:80-400K
工作電源:AC 220V;50Hz
功率范圍:200W
霍爾效應測試儀實(shí)驗裝置:
變溫霍爾測試儀主要是由電磁鐵、可自動(dòng)換向穩流源、恒溫器、測溫控溫系統、數據采集及數據處理系統等。
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